AI服务器正在重塑半导体设备周期。高端存储需求被快速拉高，HBM和高端DDR5挤占通用存储产能，价格上涨、资本开支扩张和设备订单释放开始形成同一条主线。
国金证券机械行业分析师满在朋7月9日的报告中写道：“全球AI算力与HBM存储产能扩张带动半导体设备需求高景气，后道测试与前道量检测双赛道成长确定性突出。”这意味着，市场关注点不只在设备总量扩张，更在测试、量检测等高壁垒环节。
据SEMI数据，全球半导体设备市场规模将从2024年的1166亿美元增至2027年的1556亿美元，2024年至2027年复合增速为10.1%。其中测试设备弹性更高，市场规模预计从2024年的76亿美元增至2027年的134亿美元，复合增速达21.1%。
供给端也在放大周期弹性。海外设备厂商受核心零部件短缺和产能饱和影响，主流前道及存储配套设备交付周期拉长至12至24个月，并出现涨价。三星、SK海力士、美光等扩产节奏受到设备交付约束，国内设备企业同时迎来国产替代和海外客户多元化采购的窗口。
AI服务器推高存储消耗，供需缺口扩大这轮设备周期的源头，是AI服务器对存储的消耗显著高于传统服务器。相关测算显示，AI服务器单台DRAM搭载量为传统服务器的8至10倍，NAND用量约为3倍。
需求上升的同时，通用存储供给并未同步释放。三星、SK海力士将80%至90%的先进制程产能倾斜至HBM，美光约70%产能转向HBM与高端DDR5。三大存储原厂库存约4周，低于8至12周的健康安全库存区间。
价格已经给出反应。据TrendForce数据，2026年二季度DDR5合约价预计环比上涨58%至63%，NAND Flash合约价预计环比上涨70%至75%；HBM产能缺口被测算为50%至60%。
存储市场规模也在扩张。2024年全球存储芯片市场规模为1929亿美元，2025年升至2890亿美元，2026年预计达到3775亿美元，2030年有望达到7237亿美元，2025年至2030年复合增速为17.7%。
存储厂扩产，设备订单具备兑现基础资本开支是验证设备周期的关键指标。
据TrendForce数据，全球DRAM资本支出将从2025年的537亿美元升至2026年的613亿美元，同比增长14%；NAND资本开支将从2025年的211亿美元升至2026年的222亿美元，同比增长5%。三星、SK海力士、美光2026年合计资本支出预计达535亿美元，较2025年提升16%。
美光扩产力度最突出。其2026年规划资本开支270亿美元，同比增长70.3%。SK海力士2024年和2025年资本开支同比增速分别为65.8%和75.5%。
国内存储厂也在加码。长鑫科技2024年营收241.8亿元，同比增长166.1%；2025年前三季度营收320.8亿元，同比增长97.8%。资本开支方面，长鑫科技2024年投入712.3亿元，同比增长63.2%。
长鑫科技、长江存储的扩产对本土设备需求更直接。长鑫科技2026年计划月产能扩产5至6万片，对应设备采购额约350亿至430亿元；长江存储三期项目进入设备安装调试阶段，预计2026年下半年启动大规模量产，对应设备采购规模约200亿元。
海外交付拉长，国产设备迎来双窗口2026年全球半导体元器件供货周期明显拉长。车规32-bit MCU交期超过52周，SiC交期25至40周，模拟集成电路交期20至48周。
元器件短缺正在反向影响设备交付。应用材料、东京电子等海外头部设备企业受核心零部件短缺和产能饱和约束，部分设备交付周期被拉长至12至24个月。
这给国产设备厂商带来窗口。国内厂商在刻蚀、薄膜、清洗、测试等环节已有产品积累，交付效率和成本优势更明显。海外晶圆厂在扩产压力下开始对接国内供应商，韩国、东南亚等市场成为潜在增量。
但机会并非平均分配。能否拿到海外验证、能否进入重复采购，仍取决于工艺稳定性、客户验证周期和交付能力。
国产化短板，决定设备弹性所在国内半导体设备国产化率分化明显。
清洗设备国产化率已达50%至60%，刻蚀设备为55%至65%，CMP和热处理在30%至40%。但高壁垒环节仍偏低：PVD国产化率为10%至20%，CVD/ALD为5%至10%，涂胶显影为5%至10%，量检测仅1%至10%，光刻只有0%至1%。
这也是前道量检测和后道测试被置于更重要位置的原因。它们不是设备总量中最大的环节，却是国产替代空间更清晰的短板。
国内设备企业研发投入正在上行。2020年至2025年，国内半导体设备企业研发投入总额从33.1亿元升至185.8亿元；单个企业平均研发投入从1.7亿元升至7.4亿元。投入方向集中在先进封装、HBM/DDR测试、光刻、电子束量测、高端离子注入等环节。
订单指标也在改善。中微公司合同负债从2020年的5.9亿元升至2025年的30.4亿元；拓荆科技从1.3亿元升至48.5亿元，2026年一季度仍在48.8亿元。合同负债对应已签未交付订单，显示国产设备导入不再停留于样机阶段。
前道量检测，是国产设备最硬短板之一量检测设备贯穿晶圆制造前道流程，用于检测薄膜厚度、关键尺寸、晶圆表面缺陷等指标。它不是简单的最终检查，而是在光刻、刻蚀、薄膜沉积等工序中持续进行过程控制，直接影响良率。
据SEMI统计，量检测设备约占全球半导体设备市场13%。QYResearch数据显示，全球半导体量检测市场规模2025年约192.2亿美元，2026年预计213亿美元，2030年有望达到321亿美元，2026年至2030年复合增速为10.8%。
国产化率只有1%至10%，原因在于高精密软硬件由海外龙头掌握，晶圆厂验证周期长，客户不愿轻易切换，出口管制进一步放大了供应链不确定性。
一旦国产厂商通过验证，后续重复订单价值更高。存储、先进制程、3D NAND层数提升和先进封装，都会增加检测需求。
后道FT测试价值被重新定价测试设备中，测试机是核心。后道测试设备里，测试机价值占比约63%；存储测试机在测试机市场中占比约21%。
存储测试设备几乎被海外龙头垄断。2023年全球存储测试机市场中，爱德万市占率56%，泰瑞达43%，两者合计99%。国产厂商此前主要切入中低端存储测试和配套设备，高端存储ATE整机仍是短板。
FT测试的重要性正在上升。CP测试发生在晶圆加工完成后、封装前，主要筛查基础电性参数；FT测试发生在封装后，除基础电性参数外，还要验证系统级功能、动态参数、时序特性、带宽速率和信号完整性。其对通道数量、测试频率、高速信号处理能力和时序精度要求更高。
价格也体现差距。国际高端FT测试仪定价超过1100万元/台，高于高端CP测试仪的900万元/台。QYResearch测算，全球FT成品测试机市场规模2025年为38.4亿美元，2026年预计41亿美元，2030年升至54.7亿美元，2026年至2030年复合增速为7.5%。
华为提出的韬定律也把后道价值推向更高位置。3D堆叠、Chiplet、混合键合、TSV让芯片性能不再只依赖前道几何微缩，封装和测试复杂度上升，后道设备不再只是配套环节。
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